IPS09N03LA G

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPS09N03LA G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPS09N03LA G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12822937

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IPS09N03LA G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

OptiMOS™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1642 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

63W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PG-TO251-3-11

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-251-3 Stub Leads, IPak

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IPS09N

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

IPS09N03LA G-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,500

ຊື່ ອື່ນໆ

IPS09N03LA G-DG

IPS09N03LAG

IPS09N03LAGX

SP000015131

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

3 (168 Hours)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN

infineon-technologies

IPP60R600P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IRFB41N15D

MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB

micro-commercial-components

SI2324A-TP

MOSFET N-CH 100V 2A SOT23